德国半导体制造商英飞凌科技公司（Infineon Technologies）将投资12.3亿美元（11亿欧元）扩建其位于奥地利克恩顿州维拉赫（Villach）的芯片制造工厂。此举旨在强化欧洲本土芯片产能，以应对能源高效技术及人工智能基础设施持续增长的需求。

该投资将用于提升英飞凌奥地利基地的氮化镓（GaN）功率半导体先进制造能力。新产线计划采用300毫米晶圆工艺生产下一代功率芯片。量产预计于2027年底启动，整体投资计划将持续至2034年。

英飞凌奥地利芯片制造厂扩建项目

此次扩建正值数据中心——尤其是支撑人工智能负载的数据中心——对高能效电力转换与管理系统需求激增之际。全球数据中心规模化扩张步伐加快，例如澳大利亚悉尼AirTrunk公司SYD3超大规模数据中心项目正持续推进。相较于传统硅基技术，氮化镓半导体在适用场景下具备更快的电力开关速度与更低的能量损耗，因而广泛适用于高效率电源及其它高性能电子系统。

新建产线预计将复用维拉赫现有洁净室产能，使英飞凌无需完全新建工厂即可实现产能扩张。

采用300毫米晶圆亦可提升制造效率：单片晶圆产出芯片数量约为200毫米晶圆的2.3倍，但具体数值取决于芯片设计与制程。

英飞凌在欧洲的制造布局

此外，本项目延续了英飞凌在维拉赫已有的制造基础——该公司于2021年在此投运一座耗资16亿欧元的功率半导体工厂。该基地是功率电子研发与生产的重要中心，技术覆盖硅（Si）、碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）全体系。

本次投资亦契合英飞凌强化AI基础设施用功率管理技术的总体战略。2026年10月21日，该公司宣布与英伟达（NVIDIA）合作开发面向800伏直流AI数据中心的氮化镓基电力转换系统，进一步凸显先进功率电子在算力基础设施扩张中的关键地位。

该扩建项目还将强化奥地利在欧洲半导体供应链中的地位，并支撑数据中心、能源基础设施、电动交通、机器人及消费电子等领域关键技术发展。

不过，目前尚未公布扩建工程的具体建设计划、新增就业岗位数量及预期产能等细节。

英飞凌维拉赫半导体芯片制造厂扩建项目概况

地点：奥地利克恩顿州维拉赫（Villach, Carinthia, Austria）

开发商与投资人：英飞凌科技公司（Infineon Technologies AG）

投资额：11亿欧元（12.3亿美元）

项目类型：半导体制造产能扩建

技术路线：氮化镓（GaN）功率半导体

晶圆尺寸：300毫米晶圆

预计投产时间：2027年底

投资周期：延续至2034年

主要应用领域：AI数据中心、能源基础设施、电动汽车、机器人、消费电子

既有设施利用：扩建将复用维拉赫现有洁净室产能

项目状态：投资已宣布；扩建及量产里程碑尚待进一步明确

项目团队

项目业主、投资人及技术开发商：英飞凌科技公司（Infineon Technologies AG）

奥地利运营子公司：英飞凌科技奥地利公司（Infineon Technologies Austria AG）

制造地点：英飞凌维拉赫创新工厂（Infineon’s Villach Innovation Factory）