三星电子正筹备在美国得克萨斯州泰勒市建设第二座半导体制造工厂，为美国科技公司AMD和英伟达（Nvidia）生产先进芯片组件。

该拟建工厂将制造高带宽内存（HBM）芯片的基底裸片（base dies），这是先进人工智能处理器和高性能计算系统中的关键部件。此举亦标志着三星在美国半导体制造版图的又一次重大扩张，正值人工智能计算基础设施需求持续推动先进芯片产能投资之际。

三星在得克萨斯州泰勒市的第二座工厂预计于2026年11月正式动工。该工厂全部产能已获订单锁定，其中AMD占承诺采购量的大部分，英伟达亦为重要客户。

规划中的制造工厂占地约270万平方英尺，约为三星在泰勒市首座工厂面积的1.5倍。工厂将采用先进的2纳米半导体制造工艺。

三星泰勒工厂将制造先进HBM芯片组件

三星在泰勒市的第二座工厂将专注于生产高带宽内存（HBM）芯片所用的基底裸片。此类组件在先进存储系统架构中具有重要作用，尤其应用于AI加速器和高性能计算场景。

HBM技术可实现内存与处理器之间高速、大容量数据传输，对支撑生成式人工智能、机器学习及大规模数据中心运行等高强度工作负载尤为关键。

基底裸片亦构成HBM堆栈中的底层逻辑层，负责协调各存储层与整体计算系统之间的通信，其制造需依托高度复杂的半导体制程能力。

三星决定将第二座泰勒工厂用于此类组件生产，亦反映出先进存储技术在全球半导体供应链中日益提升的战略地位；同时有助于强化其与主要美国芯片设计企业之间的合作关系，确保后者获得稳定、先进的制造产能。人工智能芯片需求增长亦正带动美国能源基础设施投资升温，例如预计将支撑美国东南部电力需求增长的密西西比州南部天然气管道项目（South Mississippi Natural Gas Pipeline）。

三星得州第二座半导体工厂建设与投产时间表

位于得克萨斯州泰勒市的新三星制造工厂设备安装预计于2029年2月启动，目标于2030年实现量产。

该项目将进一步扩大三星在威廉森县（Williamson County）泰勒市现有的半导体制造布局。该公司首座泰勒工厂为其更广泛的美国半导体投资计划组成部分，并与特斯拉（Tesla）签署有制造合同。

第二座工厂规模显著大于首座，占地面积约270万平方英尺。

AI芯片需求驱动三星在美半导体扩产

此次拟建第二座泰勒工厂，正值全球半导体制造商加大先进晶圆厂（fab）投资力度，以满足人工智能、云计算及高性能计算市场不断增长的需求。

AMD与英伟达等公司正加速拓展其AI硬件产品组合，进一步凸显了获取可靠先进半导体制造能力及先进存储技术的重要性。

对三星而言，在得克萨斯州建设第二座芯片制造工厂，是增强其代工业务（foundry business）的关键举措，亦有助于其在先进半导体制造市场争取更大份额。其为头部芯片设计公司提供核心组件的能力，或将深化其在下一代AI处理器供应链中的战略地位。

此次扩建亦进一步提升了美国中部得克萨斯州作为全球半导体制造目的地的战略重要性。三星在泰勒地区的既有运营及新增投资，正助力该区域构建日益成熟的科技制造生态系统，相关支撑要素包括基础设施、熟练劳动力以及毗邻其他科技企业的区位优势。